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TI德州仪器DRV5055-Q1离合踏板线性霍尔效应传感器IC芯片元件

DRV5055-Q1是一种线性霍尔效应传感器,它能对磁通密度成比例地响应。该装置可用于精密位置检测和电源管理等多种应用需求。该装置由3.3V或5V电源供电。当没有磁场时,模拟输出可以驱动1/2 VCC。输出随着所施加的磁通量密度线性地变化,并且五个灵敏度选项可以根据期望的感应范围来提供最大输出电压摆动。北极和南极产生一种独特的电压。它可以检测垂直于封装顶部的磁通,并且两个封装选项提供不同的检测方向。

凤凰快3该装置采用比例结构。当外部模数转换器(ADC)使用与其参考电压相同的VCC时,可以消除VCC公差引起的误差。此外,该装置还具有磁铁温度补偿功能,可在-40°C至150°C的较宽温度范围内抵消磁体漂移,实现线性性能。

DRV5055-Q1是3引脚线性霍尔效应传感器,具有完全集成的信号调理,温度补偿电路,机械应力消除和放大器。 该器件采用3.3V和5V(±10%)电源供电,测量磁通密度,并输出一个以VCC为参考的比例模拟电压.DRV5055-Q1温度补偿旨在直接补偿平均漂移 钕(NdFeB)磁体和部分补偿铁氧体磁体。 对于NdFeB,磁体的残余感应(Br)通常降低0.12%/°C,对于铁氧体则降低0.20%/°C。 当系统的工作温度降低时,温度漂移误差也会降低。

DRV5055-Q1特性

比例式线性霍尔效应磁传感器

凤凰快3由 3.3V 和 5V 电源供电

模拟输出,提供 VCC/2 静态失调电压

凤凰快3磁性灵敏度选项(VCC = 5V 时):

凤凰快3A1:100mV/mT,±21mT 范围

A2:50mV/mT,±42mT 范围

凤凰快3A3:25mV/mT,±85mT 范围

A4:12.5mV/mT,±169mT 范围

凤凰快3A5:–100mV/mT,±21-mT 范围

高速 20kHz 传感带宽

低噪声输出,具有 ±1mA 驱动器

磁体温漂补偿

符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准:

温度等级 0 级:-40°C 至 150°C

标准行业封装:

表面贴装 SOT-23

穿孔 TO-92

DRV5055-Q1应用

汽车位置检测

制动、加速、离合踏板

扭矩传感器、变速杆

节气门位置、高度找平

动力传动系统和变速系统组件

绝对值角度编码

电流检测

DRV5055-Q1型号

DRV5055A1EDBZRQ1                    DRV5055A1ELPGMQ1                    DRV5055A1ELPGQ1    

DRV5055A3EDBZRQ1                    DRV5055A2ELPGQ1                    DRV5055A4ELPGQ1    

凤凰快3DRV5055A3ELPGMQ1                    DRV5055A2ELPGMQ1                    DRV5055A3ELPGQ1    

DRV5055A4ELPGMQ1                    DRV5055A4EDBZRQ1                    DRV5055A2EDBZRQ1    

器件型号封装封装尺寸(标称值)
DRV5055-Q1SOT-23 (3)2.92mm × 1.30mm
TO-92 (3)4.00mm × 3.15mm
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