锑化铟（InSb）砷化镓（GaAs）砷化铟（InAs）硅（Si）霍尔元件有什么区别如何选型？

霍尔元件由不同的半导体薄膜材料组成：由锑化铟（InSb）制成的超灵敏霍尔元件，由砷化铟（InAs）制成的高灵敏度霍尔元件和由砷化镓（GaAs）制成的低漂移霍尔元件。但由于其灵敏度低，因此在表中所示的产品线中并未将其用作霍尔元件。硅（Si）是常见的霍尔元件材料之一，霍尔IC中使用硅。霍尔元件的灵敏度与半导体材料的迁移率成正比。温度特性受多种因素影响，但主要由带隙决定。

表1列出了当前用作霍尔元件的主要半导体材料及其独特特性。

温度特性和输出电压的灵敏度因霍尔元件的材料而异。用户应选择适合其特定应用的霍尔元件。各种霍尔元素类型的特征如下：

・ InSb：在三种霍尔元件类型中最敏感。

・ GaAs：在三种霍尔元件类型中最稳定的温度特性。

・ InAs：该霍尔元件在灵敏度和温度特性之间具有良好的平衡。

图显示了使用恒定电流驱动且控制电流相同（IC = 5mA）的3种霍尔元件的输出电压特性。

图显示了使用恒定电压驱动且控制电压相同（VC = 1V）的三种霍尔元件的输出电压特性。